| 品牌 | 昊量光電 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 綜合 |
| 產品類型 | 高速寬譜光譜橢偏儀 / 薄膜表征系統 | 核心技術 | RCE 旋轉補償器橢偏技術 |
| 檢測方式 | 高速 CCD 全波段同步檢測 | 測量參數 | 膜厚、n、k、反射率、透射率 |
| 測量能力 | 亞納米級至數十微米透明薄膜 | 數據采集速度 | 20 次/秒 |
| 全光譜測量時間 | 0.5-5 秒 | 波長范圍 | 193-1690nm（依型號配置） |
昊量光電/星朗浩宇光譜橢偏儀 M-2000
M-2000® 光譜橢偏儀， RCE 技術，高速 CCD 全光譜采集，支持 193–1690?nm
昊量光電/星朗浩宇光譜橢偏儀 M-2000
高速寬譜薄膜表征與光學常數測量系統
光譜橢偏儀M-2000產品簡介
昊量光電新推出的光譜橢偏儀 M-2000® 系列光譜橢偏儀是一款面向薄膜材料研發、半導體工藝監控、光學鍍膜分析、光伏器件檢測和顯示面板質量控制的高性能光譜橢偏測量系統。該系列產品融合 RCE 旋轉補償器橢偏技術、高速 ccd 全光譜檢測和寬光譜覆蓋能力，可在極短時間內完成多波長同步采集，為用戶提供快速、穩定、精密的薄膜厚度、折射率 n、消光系數 k 及多種材料光學參數測量結果。資料第2頁顯示，M-2000 可在不到一秒的時間內采集整個光譜，適用于原位監測、過程控制、大面積均勻性映射及通用薄膜表征等應用。
在薄膜研發與生產過程中，薄膜厚度、光學常數、均勻性、界面狀態和材料結構變化都會直接影響產品性能。M-2000 可對從亞納米級到數十微米厚度的透明薄膜進行測量，同時也適用于電介質、有機物、半導體、金屬及多層復合膜結構。M-2000 對小于單分子層的表面材料具有靈敏響應，并可測量不同類型材料的 n 和 k 光學常數。
M-2000® 系列光譜橢偏儀通過分析入射光與薄膜多界面反射后的干涉信息，判斷薄膜厚度及材料光學響應。對于透明薄膜，數據振蕩特征可反映厚度變化；對于吸收薄膜，消光系數 k 會影響光譜形狀。薄膜厚度、折射率和吸收特性對光譜數據的影響， M-2000 不僅可以測厚，還能深入分析材料的光學特性與結構變化。
光譜橢偏儀M-2000核心特點：
1.RCE 旋轉補償器橢偏技術
M-2000 采用 RCE 技術，可實現高準確度和高精度橢偏測量。相比傳統單波長或慢速掃描方式，RCE 技術配合高速 CCD 檢測，可同步采集多個波長數據，大幅提升測量效率，尤其適合需要快速反饋的工藝監控和批量檢測場景。
2.高速CCD全光譜采集
系統可同時測量全部波長，不需要逐點掃描。M-2000 數據采集率可達每秒20次，為獲得更佳信噪比，典型全光譜測量時間為0.5至5秒。對于研發測試、生產抽檢、原位監測和在線過程控制，這種高速采集能力能夠顯著提高測試效率。
3.寬光譜范圍，多種型號靈活選擇
M-2000 提供多種光譜范圍配置，可覆蓋從深紫外到近紅外的不同需求。列出了多個型號：M-2000D 覆蓋193–1000nm，M-2000U 覆蓋245–1000nm，M-2000V 覆蓋370–1000nm，NIR 擴展模塊可延伸至1690nm。列出 M2000DI 可覆蓋193–1690nm、690個波長，適合半導體、透明導電氧化物、厚膜、多層膜和復雜材料分析。
4.薄膜厚度與光學常數同步分析
M-2000 不僅用于薄膜厚度測量，還可同時分析折射率 n、消光系數 k 以及材料光學響應。對于光學鍍膜、半導體薄膜、OLED、有機光伏、透明導電膜等材料，用戶可通過光譜橢偏數據建立模型，獲得更完整的薄膜參數結果。
5.可分析多種材料特性
基于光學常數變化，M-2000 還可間接分析材料成分、結晶度、電導率、各向異性、表面粗糙度及界面粗糙度等參數。資料第4頁中以不同結晶度的鍺薄膜為例，展示了材料晶體結構變化對吸收峰和光學常數的影響。
光譜橢偏儀M-2000核心參數
| 參數類別 | 技術參數 |
|---|---|
| 產品名稱 | M-2000® 光譜橢偏儀 |
| 產品類型 | 高速寬譜光譜橢偏儀 / 薄膜表征系統 |
| 核心技術 | RCE 旋轉補償器橢偏技術 |
| 檢測方式 | 高速 CCD 全波段同步檢測 |
| 主要測量參數 | 薄膜厚度、折射率 n、消光系數 k、光學常數、反射率、透射率 |
| 測量能力 | 可測亞納米級薄膜，也可測厚度達數十微米的透明薄膜 |
| 適用材料 | 電介質、有機物、半導體、金屬、透明導電膜、多層復合薄膜 |
| 數據采集速度 | 每秒采集 20 次數據 |
| 典型全光譜測量時間 | 0.5–5 秒 |
| 光譜采集特點 | 多波長同步采集，全光譜快速獲取 |
| 系統集成方式 | 模塊化光學設計，可用于桌面平臺，也可集成至工藝腔室 |
| 典型應用 | 薄膜表征、原位監測、過程控制、大面積均勻性映射、材料研發 |
光譜橢偏儀M-2000光譜范圍選擇
| 型號 | 波長范圍 | 適用特點 |
|---|---|---|
| M-2000V | 370–1000nm | 適合電介質、有機物、非晶半導體等常規薄膜分析 |
| M-2000VI | 370–1690nm | 增加近紅外范圍，適合厚膜和復雜多層膜分析 |
| M-2000U | 245–1000nm | 適用于電介質、有機物、半導體、金屬等多種薄膜 |
| M-2000UI | 245–1690nm | 紫外到近紅外寬范圍測量，適合復雜材料分析 |
| M-2000X-210 | 210–1000nm | 增強紫外覆蓋，適合原位應用和更小光斑測量 |
| M-2000XI-210 | 210–1690nm | 覆蓋增強紫外至近紅外，適合綜合薄膜表征 |
| M-2000D | 193–1000nm | 適合半導體行業，可覆蓋193nm、248nm、365nm光刻譜線 |
| M-2000DI | 193–1690nm | 深紫外至近紅外全范圍配置，適合半導體、光伏、TCO及復雜膜層分析 |
光譜橢偏儀M-2000典型應用領域
光學鍍膜
M-2000 可用于單層和多層光學鍍膜的厚度、折射率和光學性能分析，適合增透膜、高反射膜、裝飾膜、濾光片、窗口鍍膜及功能性光學膜層檢測。資料第5頁指出，該系統可表征單層及多層鍍膜，并可計算不同光照條件下鍍膜結構的顏色坐標。
半導體材料與器件
在半導體制造與研發中，M-2000 可用于光刻膠、光掩模、SiON、ONO 堆棧、低 k 介電材料、高 k 柵極、SOI、SiGe、II-VI 族和 III-V 族化合物等材料分析。其深紫外光譜能力對超薄膜和光刻相關材料尤為重要，可滿足半導體工藝表征需求。
光伏材料
薄膜厚度和光學常數會直接影響太陽能器件性能。M-2000 可用于 a-Si、μc-Si、多晶硅、SiNx、AlNx、ITO、ZnOx、AZO、CdS、CdTe、CIGS、有機光伏材料及染料敏化薄膜的開發和監控。資料第6頁明確指出，橢偏儀可用于所有光伏材料的開發和監測。
顯示器件
在顯示領域，M-2000 可用于 a-Si、多晶硅、微晶硅、OLED 層、彩色濾光片、ITO、MgO、聚酰亞胺和液晶材料測量。無論是研發階段的膜層優化，還是生產中的工藝質量控制，都可通過光譜橢偏數據獲得可靠的材料信息。
化學與生物材料
M-2000 可作為獨立工具，也可配合液體池、溫控平臺、QCM-D 等附件，用于液體環境、高溫、低溫或液固界面下的材料研究。資料第5頁和第10頁顯示，該系統支持化學/生物應用，并可結合 QCM-D 測量以檢測亞單層級厚度和質量變化。
靈活配置，適配不同實驗和生產環境
M-2000 可提供固定角度、水平自動角度和垂直自動角度等配置。固定角度系統結構簡單、經濟實用，適合常規薄膜測量；自動角度系統則兼具靈活性和自動化能力，可滿足不同反射、透射和復雜樣品測量需求。資料第8頁顯示，水平系統適合大面積映射、液體池和加熱臺等擴展應用，垂直系統可提供更寬角度范圍，并支持樣品角度和探測器角度獨立控制。
豐富附件，拓展更多測量能力
M-2000 可搭配多種附件使用，包括映射平臺、對焦與相機系統、自動準直、樣品旋轉、透射附件、液體池、加熱臺、低溫恒溫器、多孔樣品吸盤、QCM-D 安裝臺等。資料第9頁和第10頁展示了這些附件，可覆蓋薄膜均勻性映射、光斑定位、樣品旋轉、透射測量、液體環境測量、變溫測量和液固界面實時監測等需求。
大尺寸面板映射能力
M-2000 常用于顯示器和光伏領域的大尺寸面板薄膜均勻性測量。對于透明導電氧化物、非晶硅、納米晶硅、CdTe、CIGS 以及氧化物和氮化物減反射涂層等材料，M-2000 可提供在線和離線映射方案。資料第11頁顯示，該系統可在1.1×1.3米面板上進行數百點映射，并獲得整板厚度和折射率分布圖。
原位監測與過程控制
M-2000 是薄膜沉積、刻蝕和工藝過程控制的理想工具。資料第12頁顯示，該系統已應用于 MBE、濺射、等離子體刻蝕、ECR、ALD、電子束蒸發、MOCVD、PECVD、PLD、液體池、加熱臺和低溫恒溫器等多種工藝場景，可實時確定生長速率或蝕刻速率，測量不同工藝條件下的厚度、n、k，并以亞單層靈敏度監測液體中的吸附現象。
測量功能
除了常規橢偏測量，M-2000 還支持強度反射率與透射率、多角度測量、各向異性分析、廣義橢偏測量、穆勒矩陣測量和退偏振測量。資料第13頁顯示，M-2000 可測量11個穆勒矩陣元素，適用于各向異性、退偏振、厚度不均勻、圖形化層和復雜背面反射樣品分析。
產品價值總結
M-2000® 光譜橢偏儀集高速采集、寬光譜覆蓋、高精度建模和靈活系統集成于一體，既適用于科研實驗室的材料機理研究，也適用于工業生產中的薄膜質量控制、在線監測和大面積均勻性檢測。對于需要快速獲得薄膜厚度、折射率、消光系數、材料結構和工藝變化信息的用戶，M-2000 提供了一套成熟、可靠且可擴展的光學表征解決方案。
光譜橢偏儀M-2000問答小貼士
M-2000主要用途？
測量薄膜厚度和光學常數，支持原位監測、工藝控制及大面積均勻性映射適合哪些材料？
電介質、有機物、半導體、金屬及多層復合薄膜。采集速度如何？
CCD 可每秒采集 20 次全光譜，典型全光譜測量 0.5–5 秒完成可配合哪些附件？
熱臺、低溫恒溫器、液體池、QCM-D、旋轉樣品臺及大面板映射系統等
M-2000® 光譜橢偏儀結合高速 CCD、寬光譜與 RCE 技術，實現薄膜厚度及光學常數快速精密測量。
適用于科研與工業薄膜研發、光學涂層、半導體、光伏及顯示器件，提供高效可靠的表征方案
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